Numer produktu producenta:
BSS670S2LL6327HTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS670S2LL6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
12799381
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS670S2LL6327HTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
540mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2.7µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
75 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS670S2L L6327-DG
BSS670S2L L6327
BSS670S2LL6327HTSA1TR
SP000247301
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSS670S2LH6327XTSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
58757
NUMER CZĘŚCI
BSS670S2LH6327XTSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSP88E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
IPA60R520E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
BSV236SP L6327
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6