Numer produktu producenta:
BSS306NH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS306NH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
102998 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12843804
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS306NH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
275 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BSS306
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS306N H6327-DG
BSS306NH6327XTSA1TR
BSS306NH6327
BSS306N H6327DKR-DG
BSS306N H6327CT
BSS306NH6327XTSA1CT
SP000928940
BSS306N H6327DKR
BSS306NH6327XTSA1DKR
BSS306N H6327
BSS306N H6327CT-DG
BSS306N H6327TR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC032N03SG
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
AUIRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
SCH1337-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
