Numer produktu producenta:
BSS214NH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS214NH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
367727 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12842547
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS214NH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
143 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BSS214
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS214N H6327
SP000928936
BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-DG
BSS214N H6327-DG
BSS214N H6327TR-DG
BSS214NH6327XTSA1TR
BSS214N H6327DKR-DG
BSS214NH6327
BSS214NH6327XTSA1CT
BSS214NH6327XTSA1DKR
BSS214N H6327DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NVMFS5C442NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
NVMFS5H663NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
NDB7051
MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
