Numer produktu producenta:
BSS192PL6327HTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS192PL6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Szczegółowy opis:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Magazyn:
12847710
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS192PL6327HTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT89
Pakiet / Walizka
TO-243AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS192PL6327XT
BSS192PL6327
BSS192PL6327HTSA1DKR
SP000095795
BSS192P L6327-DG
BSS192PL6327INTR-DG
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-DG
BSS192PL6327INDKR-DG
BSS192P L6327
BSS192PL6327HTSA1TR
BSS192PL6327INTR
BSS192PL6327INDKR
BSS192PL6327HTSA1CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSS192,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
42132
NUMER CZĘŚCI
BSS192,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BSS192PH6327FTSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
22508
NUMER CZĘŚCI
BSS192PH6327FTSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.16
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQD30N06TF_F080
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
FQPF13N10L
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
FDD2670
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
