Numer produktu producenta:
BSS159NH6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS159NH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
12802027
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS159NH6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 26µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
44 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS159N H6327
SP000639076
BSS159N H6327-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSS159NH6906XTSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
19956
NUMER CZĘŚCI
BSS159NH6906XTSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
AUIRF2805
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
