Numer produktu producenta:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSS139H6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Magazyn:
13483 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12802560
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSS139H6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
76 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BSS139
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPW60R099CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
