Numer produktu producenta:
BSP299H6327XUSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSP299H6327XUSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Magazyn:
12799395
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP299H6327XUSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-4
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSP299H6327XUSA1CT
BSP299H6327XUSA1DKR
2156-BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
BSP299H6327XUSA1-DG
BSP299H6327XUSA1TR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFRC20TRPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5703
NUMER CZĘŚCI
IRFRC20TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.44
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6