Numer produktu producenta:
BSP149H6327XTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSP149H6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Magazyn:
25184 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799040
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP149H6327XTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
660mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-4
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
BSP149
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001058818
BSP149H6327XTSA1CT
BSP149H6327XTSA1DKR
BSP149H6327XTSA1TR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
