Numer produktu producenta:
BSP129L6327HTSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSP129L6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Magazyn:
12847908
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP129L6327HTSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
240 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
108 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223-4-21
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSP129H6327XTSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4926
NUMER CZĘŚCI
BSP129H6327XTSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.29
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK