Numer produktu producenta:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Magazyn:
4973 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12798547
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSO080P03SHXUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5890 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.79W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-DSO-8
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
BSO080
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
