Numer produktu producenta:
BSC430N25NSFDATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC430N25NSFDATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V TSON-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 36A (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Magazyn:
9831 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12832229
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC430N25NSFDATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™, StrongIRFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSON-8-3
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC430
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC430N25NSFDATMA1-DG
448-BSC430N25NSFDATMA1CT
448-BSC430N25NSFDATMA1TR
SP001795116
448-BSC430N25NSFDATMA1DKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PHK13N03LT,518
MOSFET N-CH 30V 13.8A 8SO
BUK7Y15-100EX
MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
BUK9M85-60EX
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33