Numer produktu producenta:
BSC032NE2LSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC032NE2LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 84A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Magazyn:
23504 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799130
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC032NE2LSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
22A (Ta), 84A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-6
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC032
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC032NE2LSCT
SP000854378
BSC032NE2LSDKR-DG
BSC032NE2LSCT-DG
BSC032NE2LS
BSC032NE2LS-DG
BSC032NE2LSATMA1DKR
BSC032NE2LSTR-DG
BSC032NE2LSATMA1CT
BSC032NE2LSATMA1TR
BSC032NE2LSDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59