Numer produktu producenta:
BSC012N06NSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC012N06NSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Magazyn:
12832836
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC012N06NSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Ta), 306A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 147µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSON-8-3
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC012N06NSATMA1DKR
SP001645312
BSC012N06NSATMA1TR
BSC012N06NSATMA1-DG
BSC012N06NSATMA1CT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3748
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PML
PMPB23XNE,115
MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
BUK762R6-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
