Numer produktu producenta:
BSC011N03LSIATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC011N03LSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Magazyn:
60580 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848686
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC011N03LSIATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4300 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-7
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC011
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC011N03LSIDKR
BSC011N03LSIATMA1DKR
BSC011N03LSIDKR-DG
BSC011N03LSICT
BSC011N03LSI-DG
BSC011N03LSIATMA1TR
BSC011N03LSICT-DG
BSC011N03LSIATMA1CT
BSC011N03LSI
BSC011N03LSITR-DG
SP000884574
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
FDB8453LZ
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
