Numer produktu producenta:
BSC010N04LSIATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC010N04LSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Magazyn:
9226 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801749
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC010N04LSIATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6200 pF @ 20 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Body)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8 FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC010
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFBSC010N04LSIATMA1
SP000953210
BSC010N04LSIATMA1DKR
BSC010N04LSIATMA1CT
BSC010N04LSIATMA1TR
BSC010N04LSIATMA1-DG
2156-BSC010N04LSIATMA1
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
AUIRLS3036TRL
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IPD60R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
