Numer produktu producenta:
AUIRL7766M2TR
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
AUIRL7766M2TR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M4
Magazyn:
12798464
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AUIRL7766M2TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5305 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DirectFET™ Isometric M4
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric M4
Podstawowy numer produktu
AUIRL7766
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001516036
Pakiet Standard
4,800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC019N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
64-9144
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
AUIRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
