Numer produktu producenta:
GT6K2P10KH
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
GT6K2P10KH-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Szczegółowy opis:
P-Channel 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252
Magazyn:
15000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12978151
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
GT6K2P10KH Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SGT
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
670mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
Standard
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4822-GT6K2P10KHTR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AUIRFB8405
AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A
FCH043N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
SIHA17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
