Numer produktu producenta:
GT400P10T
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
GT400P10T-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
62 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13239061
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
GT400P10T Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3223 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
106W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3141-GT400P10T
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
