Numer produktu producenta:
GT090N06K
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
GT090N06K-DG
Opis:
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Magazyn:
1583 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13001577
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
GT090N06K Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
45A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1088 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3141-GT090N06KTR
3141-GT090N06KDKR
3141-GT090N06KCT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQA602CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
S2M0040120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
