Numer produktu producenta:
GT035N06T
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
GT035N06T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Szczegółowy opis:
N-Channel 170A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
1000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12987340
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
GT035N06T Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tube
Seria
SGT
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
170A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
Standard
Rozpraszanie mocy (maks.)
215W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4822-GT035N06T
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
SIJH5700E-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
