Numer produktu producenta:
G65P06D5
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
G65P06D5-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Szczegółowy opis:
P-Channel 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Magazyn:
50000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12975144
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
G65P06D5 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
65A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
Standard
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFN (4.9x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4822-G65P06D5TR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF530PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
DI080N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
NVH4L015N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
