Numer produktu producenta:
RFP8P10
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
RFP8P10-DG
Opis:
P-CHANNEL POWER MOSFET
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
29973 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12935486
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RFP8P10 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-RFP8P10
FAIFSCRFP8P10
Pakiet Standard
1,110
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPD04N60C2
N-CHANNEL POWER MOSFET
SPP07N600S5
N-CHANNEL POWER MOSFET
MMSF1310R2
N-CHANNEL POWER MOSFET
