Numer produktu producenta:
FQA44N30
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FQA44N30-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 43.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Magazyn:
1056 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946782
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQA44N30 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
43.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
69mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PN
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FAIFSCFQA44N30
2156-FQA44N30
Pakiet Standard
67
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
FDPF13N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IRFH5250DTRPBF
IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO