FDPF10N60ZUT
Numer produktu producenta:

FDPF10N60ZUT

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Numer części:

FDPF10N60ZUT-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Magazyn:

12947077
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDPF10N60ZUT Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
-
Seria
UniFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1980 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-FDPF10N60ZUT
ONSONSFDPF10N60ZUT
Pakiet Standard
246

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
international-rectifier

IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF17N40T

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI13N50CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1