Numer produktu producenta:
FDP8440
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDP8440-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
18984 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946503
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDP8440 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
24740 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
306W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FAIFSCFDP8440
2156-FDP8440
Pakiet Standard
120
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQP13N06L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDD6680AS
MOSFET N-CH 30V 55A TO252