Numer produktu producenta:
FDP039N08B-F102
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDP039N08B-F102-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
399 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946533
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDP039N08B-F102 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9450 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND
Pakiet Standard
64
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDPF16N50UT
MOSFET N-CH 500V 15A TO220F
IRL60SL216
IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
STB100NF04T4
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK