Numer produktu producenta:
FDMS7670
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDMS7670-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
145098 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946579
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS7670 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Ta), 42A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4105 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDMS7670
ONSFDMS7670
Pakiet Standard
520
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP6N40C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
