Numer produktu producenta:
FDD8451
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDD8451-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Magazyn:
17802 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946478
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDD8451 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Ta), 28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
990 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252 (DPAK)
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDD8451
FAIFSCFDD8451
Pakiet Standard
766
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP8441
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQPF8N90C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F