FCH077N65F-F085
Numer produktu producenta:

FCH077N65F-F085

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Numer części:

FCH077N65F-F085-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247

Magazyn:

148 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946082
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FCH077N65F-F085 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
SuperFET® II
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
54A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
77mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7162 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
481W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
ONSONSFCH077N65F-F085
2156-FCH077N65F-F085
Pakiet Standard
46

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
fairchild-semiconductor

FCH47N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

international-rectifier

AUIRLS3034-7TRL

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

international-rectifier

AUIRFP4004

MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

renesas-electronics-america

2SK3057-AZ

2SK3057 - POWER TRS2