Numer produktu producenta:
ZXMP6A18DN8TA
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
ZXMP6A18DN8TA-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 60V 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Magazyn:
4754 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12906256
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ZXMP6A18DN8TA Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.7A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1580pF @ 30V
Moc - Max
1.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
ZXMP6A18
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ZXMP6A18DN8CT
ZXMP6A18DN8CT-NDR
ZXMP6A18DN8TR
ZXMP6A18DN8TR-NDR
ZXMP6A18DN8DKR
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZXMC4A16DN8TC
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
ZXMN2AMCTA
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
FMP76-010T
MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC
