ZVP3310ASTOA
Numer produktu producenta:

ZVP3310ASTOA

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

ZVP3310ASTOA-DG

Opis:

MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 140mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Magazyn:

12886613
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

ZVP3310ASTOA Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
140mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
625mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
E-Line (TO-92 compatible)
Pakiet / Walizka
E-Line-3

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

ZXMN3A03E6TC

MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

diodes

ZXM64P035L3

MOSFET P-CH 35V 3.3A/12A TO220-3

diodes

ZVN2120A

MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

diodes

ZXMN6A08E6QTA

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26