Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
ZVNL120CSTOA
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
ZVNL120CSTOA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 180mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12886723
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ZVNL120CSTOA Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3V, 5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
85 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
E-Line (TO-92 compatible)
Pakiet / Walizka
E-Line-3
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
VN2410L-G-P013
PRODUCENT
Microchip Technology
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
VN2410L-G-P013-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.92
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
ZVP2110ASTZ
MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
ZVN3306FTC
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
ZXMN2F30FHTA
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3