Numer produktu producenta:
ZVN4306AVSTOA
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
ZVN4306AVSTOA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Magazyn:
12905580
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ZVN4306AVSTOA Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
850mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
E-Line (TO-92 compatible)
Pakiet / Walizka
E-Line-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
ZXMN6A07ZTA
MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
