Numer produktu producenta:
ZTX857QSTZ
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
ZTX857QSTZ-DG
Opis:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Magazyn:
12979199
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ZTX857QSTZ Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Box (TB)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
3 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
300 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
50nA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Moc - Max
1.2 W
Częstotliwość - Przejście
80MHz
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
E-Line-3, Formed Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
E-Line (TO-92 compatible)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-ZTX857QSTZTB
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BC847BWQ-13-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32
FMMT491AQTC
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R
FMMT625QTA
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
