FMMT411FDBWQ-7
Numer produktu producenta:

FMMT411FDBWQ-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

FMMT411FDBWQ-7-DG

Opis:

AVALANCHE TRANSISTOR W-DFN2020-3
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 15 V 5 A 110MHz 820 mW Surface Mount W-DFN2020-3 (Type A)

Magazyn:

2647 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13001615
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FMMT411FDBWQ-7 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Avalanche Mode
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
5 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
15 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
100mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Moc - Max
820 mW
Częstotliwość - Przejście
110MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
3-UDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
W-DFN2020-3 (Type A)

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
31-FMMT411FDBWQ-7TR
31-FMMT411FDBWQ-7CT
31-FMMT411FDBWQ-7DKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
central-semiconductor

2N4299

TRANSISTOR

nexperia

PBSS4330PAS-QX

TRANS NPN 30V 3A DFN2020D-3

central-semiconductor

2N6467

TRANSISTOR

anbon-semiconductor

MMBT3904

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN