Numer produktu producenta:
DMTH8008SFG-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMTH8008SFG-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 68A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Magazyn:
13000524
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMTH8008SFG-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1945 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMTH8008SFG-7TR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMTH8008SFGQ-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMTH8008SFGQ-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.46
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPDQ60R025CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
IPDQ60R015CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
DMP26M1UFG-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
