Numer produktu producenta:
DMTH6016LFVW-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMTH6016LFVW-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 41A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Magazyn:
12901521
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMTH6016LFVW-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
41A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
939 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount, Wettable Flank
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMTH6016
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDFMA2P859T
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
DMP2033UVT-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
