Numer produktu producenta:
DMTH10H015LPS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMTH10H015LPS-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Magazyn:
2500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12949755
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMTH10H015LPS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.3A (Ta), 44A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
DMTH10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMTH10H015LPS-13DKR
31-DMTH10H015LPS-13TR
DMTH10H015LPS-13-DG
31-DMTH10H015LPS-13CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN1004UFDF-7
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
TSM10NC60CF C0G
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
DMTH10H015LK3-13
MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
