Numer produktu producenta:
DMT8012LK3-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT8012LK3-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Magazyn:
7115 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12896424
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT8012LK3-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
44A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
DMT8012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT8012LK3-13DITR
DMT8012LK3-13DICT
DMT8012LK3-13DIDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM5NC50CF C0G
MOSFET N-CH 500V 5A ITO220S
DMTH6016LFVWQ-13
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
DMTH10H025LPSQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
