Numer produktu producenta:
DMT8012LFG-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT8012LFG-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Magazyn:
5045 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12888737
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
YAbI
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT8012LFG-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT8012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT8012LFG-7DICT
DMT8012LFG-7DIDKR
DMT8012LFG-7DITR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT3004LFG-13
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
DMP510DLW-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R
DMNH6042SK3-13
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
