DMT8008LFG-13
Numer produktu producenta:

DMT8008LFG-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMT8008LFG-13-DG

Opis:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 1W (Ta), 23.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Magazyn:

12978855
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMT8008LFG-13 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 48A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta), 23.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT30

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
31-DMT8008LFG-13TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
DMT8008LFG-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1395
NUMER CZĘŚCI
DMT8008LFG-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.49
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

diodes

DMP2016UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

diodes

DMT12H007SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

diodes

DMT10H009LK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R