Numer produktu producenta:
DMT67M8LCG-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT67M8LCG-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Magazyn:
13270040
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT67M8LCG-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT67
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMT67M8LCG-13TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMT67M8LCG-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMT67M8LCG-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.34
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP3007SPSQ-13
MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8
DMTH6012LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3