Numer produktu producenta:
DMT6016LPS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT6016LPS-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 1.23W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Magazyn:
3650 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12884855
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT6016LPS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
864 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.23W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
DMT6016
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT6016LPS-13DIDKR-DG
DMT6016LPS-13DITR
31-DMT6016LPS-13TR
31-DMT6016LPS-13CT
DMT6016LPS-13DIDKR
DMT6016LPS-13DITR-DG
DMT6016LPS-13DICT
DMT6016LPS-13DICT-DG
31-DMT6016LPS-13DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMTH6010SCT
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
DMN2024U-13
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
DMTH6010SK3-13
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252