Numer produktu producenta:
DMT6012LFV-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT6012LFV-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 43.3A (Tc) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Magazyn:
12884294
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT6012LFV-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8 (Type UX)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT6012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT6012LFV-7DI
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD18543Q3AT
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10097
NUMER CZĘŚCI
CSD18543Q3AT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.54
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP1011UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
DMN30H14DLY-13
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
DMTH4004LK3-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
