Numer produktu producenta:
DMT5015LFDF-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT5015LFDF-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 50 V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Magazyn:
12900499
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
QVmD
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT5015LFDF-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
50 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
902.7 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
820mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakiet / Walizka
6-UDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
DMT5015
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMT5015LFDF-13TR
DMT5015LFDF-13DI
DMT5015LFDF-13DI-DG
31-DMT5015LFDF-13DKR
31-DMT5015LFDF-13CT
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HUF75829D3
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
TSM210N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
DMP21D5UFD-7
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
