Numer produktu producenta:
DMT10H4M5LPS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT10H4M5LPS-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Magazyn:
12895726
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT10H4M5LPS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
DMT10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT10H4M5LPS-13DI
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM8N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
