Numer produktu producenta:
DMT10H072LFV-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT10H072LFV-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Magazyn:
12902664
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
24rJ
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT10H072LFV-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
228 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8 (Type UX)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMT10H072LFV-13DI
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMT10H072LFV-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6289
NUMER CZĘŚCI
DMT10H072LFV-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.13
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZXMP2120E5TA
MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
DMP2007UFG-13
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
IXFV16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
