Numer produktu producenta:
DMT10H032SFVW-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT10H032SFVW-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Magazyn:
12978974
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT10H032SFVW-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
544 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount, Wettable Flank
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMT10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMT10H032SFVW-13TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMT10H032SFVW-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMT10H032SFVW-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.17
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMN3016LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMNH6021SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
