Numer produktu producenta:
DMS2120LFWB-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMS2120LFWB-7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020B (3x2)
Magazyn:
12899278
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMS2120LFWB-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
632 pF @ 10 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFN3020B (3x2)
Pakiet / Walizka
8-VDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
DMS2120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMS2120LFWB-7DI
DMS2120LFWB-7DIDKR
DMS2120LFWB-7DITR
DMS2120LFWB7
DMS2120LFWB-7DICT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK9840-55,115
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
TSM061NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
TSM4435BCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
