Numer produktu producenta:
DMP2010UFG-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMP2010UFG-7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Magazyn:
4571 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12888679
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMP2010UFG-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3350 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMP2010
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMP2010UFG-7DICT
DMP2010UFG-7DITR
DMP2010UFG-7DIDKR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
